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铠侠新型CXL存储器来袭:功耗更低、位密度更高,读取速度超越NAND!

2024-11-07来源:ITBEAR编辑:瑞雪

铠侠获日本官方机构采纳,将开发新型高效能存储器技术

近日,日本知名企业铠侠宣布,其提案的“创新型存储制造技术开发”项目已获日本新能源・产业技术综合开发机构(NEDO)的认可与支持。该项目是NEDO所推动的“加强后5G信息和通信系统基础设施研究开发项目”的一部分,专注于先进半导体制造技术的开发。

随着后5G时代的来临,数据量的大幅增长对数据中心的处理能力和功耗提出了更高要求。铠侠指出,为应对这一挑战,存储器必须具备高速数据传输能力和与高性能处理器的高效协同工作能力,同时还要在提升存储容量的同时降低功耗。

为此,铠侠计划研发一种全新的CXL接口存储器。这种存储器旨在实现比DRAM更低的功耗、比NAND闪存更高的位密度,以及更快的读取速度。这一创新技术有望显著提升存储器的整体效能,并为数据中心带来更为显著的节能效果。

据报道,铠侠将在未来三年内投入360亿日元(约合人民币16.77亿元)用于该项目的研发工作。同时,日本经济产业省也将提供180亿日元(约合人民币8.39亿元)的资金补贴,以支持这一具有重大战略意义的技术创新。

若研发进展顺利,相关产品有望在21世纪30年代初期实现商业化,为全球数据中心带来革命性的技术升级。这一创新技术的推出,不仅将巩固铠侠在全球存储器市场的领先地位,更有望为整个行业带来全新的发展机遇。

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