【智能日报】1月17日消息，苹果在其即将推出的iPhone 16系列中做出了一个令人费解的决策：采用速度较慢的QLC闪存。据智能日报了解，这一决策源自苹果对存储容量的新考量。
供应链最新消息透露，苹果正在考虑对存储容量策略进行重大调整。具体而言，苹果计划在存储容量达到或超过1TB的iPhone 16机型上，弃用传统的三层单元(TLC)NAND闪存，转而采用四层单元(QLC)NAND闪存。此举无疑将在业内引起广泛关注，因为QLC闪存的速度通常较TLC更慢。
QLC闪存技术相较于TLC闪存，其每个存储单元能够存储四位数据，从而在相同数量的存储单元下实现更高的存储密度，或是以更少的存储单元达到同样的存储容量。这种优势有助于苹果降低生产成本，但同时也带来了可靠性和耐久性的问题。由于每个单元需要写入更多的数据位，QLC闪存的写入耐久性相对较差，更容易出现位错误。
此外，QLC NAND闪存能够区分16种不同的电荷电平，相比之下，TLC NAND闪存仅能区分8种。在读取数据时，电荷量的增加导致裕量减少，进而可能因噪声增加而导致位错误率上升。这意味着，如果苹果坚持这一决策，部分高容量的iPhone 16用户可能会面临数据写入速度较慢的问题。
尽管这一决策在技术和经济层面具有一定的合理性，但苹果是否充分考虑了用户体验和长期可靠性仍有待观察。未来，市场将对这一变革作出何种反应，亦将是业界关注的焦点。
