台积电前研发副总裁林本坚近日在接受媒体专访时提出一个引人关注的观点：中国大陆或许无需依赖EUV光刻机，仅凭现有的浸润式DUV光刻机技术，就有可能突破5纳米芯片制造工艺。这位被誉为“浸润式光刻机之父”的专家指出，浸润式DUV光刻机本身具备这样的技术潜力，其原理在于通过多重曝光等工艺优化手段，能够突破传统技术节点的限制。
追溯浸润式光刻机的发展历程，林本坚在台积电任职期间主导了这项技术的研发。当时日本光刻机巨头佳能、尼康等企业专注于干式光刻机技术，对浸润式方案兴趣寥寥。而处于行业边缘的荷兰企业ASML却敏锐捕捉到机遇，与台积电展开深度合作。双方联合研发的浸润式光刻机不仅帮助ASML在2008年前后超越日本对手，更奠定了其在光刻机领域的长期领导地位。后续ASML获得美国EUV技术支持后，进一步巩固了行业龙头位置，但这段合作历史始终被视为光刻机技术演进的关键转折点。
作为技术提出者，林本坚对浸润式光刻机的性能边界有着深刻认知。台积电曾使用该技术通过多重曝光工艺实现7纳米芯片量产，尽管这种方案导致成本显著增加。后续转向EUV光刻机后，第二代7纳米工艺在性能和功耗方面获得明显提升，并延续至5纳米、3纳米等更先进制程。值得注意的是，当前三星已采用第二代EUV光刻机生产2纳米芯片，而台积电仍使用第一代设备，这种差异既体现技术路线选择，也反映出成本控制考量——第二代EUV设备价格较前代高出两倍。
林本坚的论断为中国芯片产业注入新动力。据行业消息，国内企业正利用浸润式DUV光刻机攻克接近台积电7纳米水平的芯片制造技术，若成功将成为继台积电、三星、英特尔之后第四家掌握该工艺的厂商。更值得关注的是，在7纳米突破后，5纳米研发已提上日程。尽管成本压力巨大，但掌握先进制程对中国芯片产业具有战略意义，既能为自主研发光刻机争取时间，也能推动整体技术生态升级。
中国芯片产业的突破不仅体现在光刻环节。在刻蚀机等关键设备领域，国内已实现3纳米技术突破，这类设备的精度仅次于光刻机。先进刻蚀机与浸润式DUV光刻机的协同研发，有望降低5纳米工艺的开发难度。这种技术组合策略已在7纳米阶段显现成效——基于类似工艺水平的国产芯片，已在手机处理器、人工智能芯片等领域取得重要进展。例如，当美国放宽对华AI芯片出口限制后，国内企业选择放弃采购英伟达定制版H20芯片，转而使用自主研发的替代产品，这从侧面印证了国产芯片的性能竞争力。
