据韩媒ETNews报道，三星电子已作出重大决策，计划在2025年初引进首台ASML High NA EUV光刻机。此举标志着三星将正式加入与英特尔、台积电等巨头在下一代光刻技术商业化研发方面的竞争。
此前，三星已与比利时微电子研究中心imec展开合作，在imec与ASML共同建立的High NA EUV光刻实验室中进行了初步探索。此次自有High NA机台的引入，预计将大幅加速三星在相关领域的研发进程。
考虑到High NA EUV光刻机的精密性，安装和调试工作预计将耗费一定时间。因此，该机台有望最早在明年中旬投入研发使用。三星目前的半导体先进制程路线图已规划至SF1.4节点，预计于2027年量产，而采用High-NA光刻的制程则最早需等待至SF1阶段。
在先进制程代工领域的竞争中，三星的主要对手英特尔已完成第二台High NA EUV光刻机的安装工作，而台积电的首个机台也预计将于今年内交付。在存储领域，SK海力士则有望在2026年引入其首台High NA EUV光刻机。
