在近日举办的Wolfe Research汽车、汽车技术与半导体会议上，Micron美光首席财务官Mark Murphy透露，公司HBM4内存已正式进入大规模量产阶段，整体进度超出预期。这一消息标志着美光在高性能存储领域的布局取得关键突破，其HBM4产品凭借技术优势正快速抢占市场先机。
Mark Murphy进一步表示，美光已启动HBM4内存的客户交付工作，预计本季度出货量将呈现持续上升态势。得益于产能的稳步扩张，公司当前日历年的HBM产品供应已全部被客户预订，其中HBM4的良率表现完全符合预期目标。该产品最高可实现11Gbps的传输速率，在性能、质量及可靠性方面均达到行业领先水平，为人工智能、高性能计算等前沿领域提供了强有力的存储支持。
当前存储半导体市场呈现供不应求的显著特征。Mark Murphy指出，即便对于重点客户，美光的供应能力也仅能满足其需求的50%至67%。这种供需失衡局面预计将持续至2026年以后，主要原因是制程升级带来的产能提升已无法匹配快速增长的市场需求，而新建晶圆厂所需的较长周期更加剧了供应紧张态势。美光正通过优化生产流程、加速技术迭代等方式，努力缓解这一结构性矛盾。
