日月光半导体制造股份有限公司（ASE）近期公布了一项重大技术创新，正式推出了融入硅通孔（TSV）技术的FOCoS-Bridge高级封装方案。这一新方案在原有FOCoS-Bridge的基础上进行了显著升级，旨在通过缩短信号传输路径，提升I/O密度，并优化散热性能，以应对当前市场对更高带宽的迫切需求。
FOCoS-Bridge作为日月光VIPack平台的关键组成部分，其独特之处在于利用嵌入于扇出RDL层中的微小硅桥，实现了xPU与HBM之间的高效封装内连接。这一设计理念与台积电的CoWoS-L技术以及英特尔的EMIB技术有着异曲同工之妙，均致力于提升芯片间的互联效率。
值得注意的是，新推出的FOCoS-Bridge TSV版本，在传统横向信号连接的基础上，引入了TSV桥接芯片，为电力传输提供了更为直接的垂直路径。这一改进使得FOCoS-Bridge TSV的电阻降低了72%，电感减少了50%，相较于标准版FOCoS-Bridge，性能有了显著提升。
日月光研发部门的负责人李德章先生对此表示，随着高性能计算和人工智能应用的快速发展，市场对高计算性能的需求日益增长。日月光FOCoS-Bridge技术的推出，正是为了满足这一需求，它能够实现SoC、Chiplets与HBM之间的无缝整合。而通过引入TSV技术，FOCoS-Bridge不仅提升了计算和能源效率，更将日月光的高级封装技术提升到了一个全新的高度。
