SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功实现了全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存的量产。这一成就标志着NAND闪存技术迈入了一个全新的高度。
这款创新的321层NAND闪存，相较于其上一代238层产品，在数据传输速度和读取性能上分别取得了12%和13%的显著提升。同时，数据读取能效也提高了超过10%，为用户带来了更为高效和节能的使用体验。
SK 海力士自2023年6月量产并推出238层NAND闪存以来，持续引领着市场技术的发展。此次321层NAND闪存的推出，不仅再次刷新了技术极限，更展示了SK 海力士在存储技术领域的深厚积累和创新能力。据SK 海力士透露，计划从明年上半年开始，正式向全球客户提供这款划时代的产品，以满足日益增长的市场需求。
在产品开发过程中，SK 海力士采用了创新的“3-Plug”工艺技术，成功克服了堆叠过程中的技术难题。该技术通过三次通孔工艺流程，结合优化的后续工艺，实现了三个通孔之间的电气连接。同时，开发团队还引入了低变形材料和通孔间自动排列矫正技术，进一步提升了产品的稳定性和可靠性。
SK 海力士在开发321层NAND闪存时，充分利用了上一代238层产品的开发平台。这一举措不仅最大限度地减少了工艺变化带来的风险，还使得生产效率相较于上一代产品提升了59%。这一显著的生产效率提升，为SK 海力士在全球存储市场上的竞争力注入了新的活力。
