在科技领域的一次重大飞跃中，复旦大学宣布了在集成电路研究上的最新突破。这一突破不仅刷新了存储速度的理论极限，更预示着存储技术新时代的到来。
复旦大学的集成芯片与系统全国重点实验室，携手芯片与系统前沿技术研究院的周鹏-刘春森团队，通过创新性地构建准二维泊松模型，在理论上预言了超注入现象。这一发现不仅挑战了现有存储技术的认知边界，还成功研制出了名为“破晓（PoX）”的皮秒闪存器件。
据悉，“破晓”皮秒闪存器件的擦写速度惊人，达到了亚1纳秒级别（仅400皮秒），意味着每秒能执行高达25亿次操作。这一速度不仅超越了现有的所有半导体电荷存储技术，甚至超过了同技术节点下的易失性存储SRAM技术，成为迄今为止世界上最快的存储技术。
传统的闪存技术依赖于浮栅晶体管，其中电子在源极到漏极的通道中加速，通过栅极的“开关”作用被拽入浮栅存储层。然而，这一过程中电子的加速距离长且速度受限，导致存储速度难以突破注入极值点。为了克服这一难题，周鹏-刘春森团队提出了一种全新的提速思路。
他们结合了二维狄拉克能带结构与弹道输运特性，通过调制二维沟道的高斯长度，实现了沟道电荷向浮栅存储层的超注入。在超注入机制下，电子无需长距离加速即可直接达到高速，且注入过程不受注入极值点的限制，实现了存储速度的质的飞跃。
这一突破性成果以《亚纳秒超注入闪存》为题，于近日在《自然》期刊上发表。论文详细阐述了超注入现象的理论预测与实验验证过程，以及“破晓”皮秒闪存器件的卓越性能。
复旦大学表示，这一技术的成功研发有望彻底颠覆现有的存储器架构。在未来的个人电脑中，内存和外存的概念或将不复存在，分层存储的需求也将被颠覆。更重要的是，该技术为实现AI大模型的本地部署提供了可能，将极大地推动人工智能技术的发展。
团队将这项技术命名为“破晓”，寓意着它如同破晓的曙光，打破了既有存储速度分级架构的束缚，引领我们进入一个全新的存储时代。
