英特尔新任首席执行官陈立武在近期于美国加州圣何塞举办的Intel Foundry Direct Connect 2025活动中，向公众展示了公司在晶圆代工业务方面的最新进展。
在活动中，陈立武透露了一个振奋人心的消息：公司正在与多家潜在客户进行深入沟通，准备推出全新的14A工艺节点（相当于1.4纳米），这一技术将作为18A工艺节点的后续升级版本。
他进一步表示，英特尔已经吸引了几个重要客户参与14A测试芯片的研发。这些测试芯片将搭载英特尔最新研发的PowerDirect背面电源传输技术，该技术有望大幅提升芯片的性能和能效。
关于18A工艺节点，陈立武也给出了积极的进展报告。他指出，目前18A节点已经顺利进入风险生产阶段，并预计在今年晚些时候进入大规模量产。这一消息无疑为英特尔在先进制程技术上的领先地位再添一份保障。
陈立武还透露了18A-P（即18A节点的性能版本）的最新进展。他表示，目前18A-P已经在晶圆厂中成功运行，并已经生产出早期的晶圆。这一消息进一步增强了市场对英特尔在先进制程技术上的信心。
除了14A和18A节点外，英特尔还在积极研发新的18A-PT版本。这一版本将支持Foveros Direct 3D技术，采用混合键合互连，使得英特尔能够在其最先进的节点上实现晶圆的垂直堆叠。这一技术的发展对于提升芯片的性能和容量具有重要意义。
Foveros Direct 3D技术还使得英特尔能够与竞争对手台积电在功能上相媲美。最典型的例子就是AMD的3D V-Cache产品，而英特尔在关键互连密度测量方面的实现也达到了与台积电相当的水平。
在成熟节点方面，英特尔也取得了显著的进展。目前，公司已经成功量产了首个16nm晶圆，并与联电合作开发12nm节点。这一合作不仅有助于提升英特尔在成熟节点上的产能和效率，还将为客户提供更多样化的选择。
