SK海力士在近期举办的FMS 2026峰会上公布了其新一代NAND闪存技术进展，其最新产品V10 NAND采用375层堆叠设计，成为该公司首款应用晶圆键合技术的NAND产品。相较于前代321层V9 "4D NAND"，V10在每瓦性能方面实现了2.5倍的提升，专门针对AI基础设施对能效与性能的双重需求进行优化。企业级固态硬盘产品计划于2027年上半年进入量产阶段。
技术展示环节中，SK海力士同步公开了V10 1Tb TLC晶圆及两款创新封装方案。其中32DP 2CH型号通过堆叠32个NAND Die，成为同类封装中首款TLC产品；另一款4通道封装版本则以13.5mm×12.5mm的尺寸突破传统14mm×18mm规格，在保持性能的同时显著缩小了物理空间占用。
在存储解决方案领域，基于V9H 1Tb TLC NAND的UG500 UFS 5.0存储方案引发关注。该产品提供512GB与1TB容量选择，通过架构优化使能效较UFS 4.1提升19%。同期展出的还有采用1c nm工艺的16Gb Die LPDDR6内存颗粒，标志着SK海力士在移动存储领域的技术突破。
面向消费级市场，SK海力士推出了首款PCIe Gen5 QLC固态硬盘PQF02。该产品基于V9 QLC NAND技术，提供1TB与2TB容量版本，采用4通道主控设计，支持M.2 2230至2280全规格外形。其性价比定位有望为消费电子设备提供更高容量的存储选择。
