杭州镓仁半导体有限公司近日宣布，其自主研发的6/8英寸氧化镓同质外延量产线已正式投入运营，并开始向头部芯片企业批量供货。这一突破标志着全球首条基于铸造法单晶生长与MOCVD外延工艺的氧化镓产线实现商业化落地，为超宽禁带半导体材料的产业化应用开辟了新路径。
在晶体生长环节，该公司独创的铸造法技术突破了传统工艺的局限，成功制备出厚度达国际领先水平的氧化镓单晶。通过配套开发的超薄衬底加工技术，单片衬底出片量较传统工艺提升3至4倍，同时将贵金属铱的消耗量降低80%以上，使衬底成本下降超八成。这一创新不仅解决了材料成本高企的难题，更为下游器件厂商提供了更具竞争力的基础材料。
外延工艺方面，技术团队针对氧化镓（100）晶面的特性，优化了MOCVD设备的关键参数，开发出特色外延生长方案。目前量产的6英寸外延片厚度超过10微米，膜厚均匀性控制在1%以内，各项指标均达到国际先进水平。作为全球首个实现6英寸氧化镓同质外延商业化供应的企业，镓仁半导体已构建起从单晶生长到外延片制造的完整技术体系。
此前，氧化镓材料产业长期面临尺寸受限、产能不足、均匀性差等瓶颈。镓仁半导体通过整合"单晶-衬底-外延"全流程技术，不仅实现了6英寸产品的稳定量产，更同步布局8英寸产线，成为国际上首家掌握该尺寸氧化镓全链条制造能力的企业。据公开资料显示，其8英寸单晶与外延片均属全球首发，相关设备也已形成自主知识产权体系。
目前，该公司的氧化镓产品已获得海外多家科研机构及企业的订单，部分客户已建立长期采购关系。作为超宽禁带半导体领域的核心供应商，镓仁半导体正持续拓展2-8英寸氧化镓单晶、衬底及外延片的产品矩阵，其自主研发的垂直布里奇曼法长晶设备也已进入量产阶段，为构建"设备-材料-器件"的完整产业生态奠定基础。
