高通公司近日在企业财报电话会议上透露，其ASIC芯片定制业务已取得重要进展，来自两家全球超大规模企业的两个项目正式进入晶圆生产阶段。公司预计这些项目将从2026年12月季度开始贡献收入，标志着高通在定制芯片市场的竞争力进一步提升。
在芯片架构创新方面，高通宣布其初代HBC（高带宽计算）架构芯片已完成流片，为2027年中正式推出奠定了坚实基础。该架构采用独特的堆叠设计，底部集成近内存加速器单元，上方通过TSV（硅通孔）技术垂直堆叠LPDDR DRAM芯片，这种设计有望显著提升计算性能和能效比。
针对近期芯片涨价话题，高通总裁兼首席执行官克里斯蒂亚诺·安蒙解释称，当前价格调整主要是为了应对输入成本和晶圆价格的上涨。他强调，即使涨幅达到两位数，相对于内存物料清单的整体规模而言，实际影响仍然有限。这一表态反映了高通对行业成本压力的理性应对态度。
供应链方面，安蒙透露高通已观察到半导体全产业链处于满负荷运转状态，晶圆制造、封装测试等环节均出现供应短缺和价格上涨现象。不过他同时指出，高通凭借充足的库存储备和跨节点产能分配，能够有效应对当前挑战，这在行业普遍承压的背景下形成竞争优势。
业务布局上，高通宣布将于2026年9月量产第五代骁龙数字底盘解决方案。公司特别强调，非手机领域的业务增长预期将完全抵消苹果需求下降带来的影响，显示出高通在汽车、物联网等新兴市场的战略信心。这一转型举措标志着高通正从单一手机芯片供应商向多元化科技企业转变。
