【PC日报】6月12日消息，东京电子(TEL)近日宣布他们成功开发了一项创新的通孔蚀刻技术，可用于制造超过400层的3D NAND闪存芯片。这一突破性技术将电蚀刻应用于低温范围，并实现了极高蚀刻速率的系统。
TEL的这项新技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的高纵横比蚀刻，大大缩短了之前所需的时间。据悉，该技术的应用不仅有助于制造更高容量的3D NAND闪存芯片，还能够减少全球变暖所带来的风险，降低84%的生产工艺对环境的影响。
为了向业界展示这一重要成果，TEL的研发团队将在6月11日至16日举行的日本京都超大规模集成电路技术和工艺研讨会上发布最新成果和报告。据PC日报了解，这次发布将进一步阐述该通孔蚀刻技术的创新之处和应用前景。
TEL此次的技术突破为3D NAND闪存芯片的制造带来了重要的进展。随着移动设备和云计算等领域对存储容量的需求不断增长，高容量的3D NAND闪存芯片将发挥越来越重要的作用。TEL的通孔蚀刻技术不仅提高了制造效率，还有望推动闪存技术的进一步发展，为未来的存储行业带来更大的潜力。
TEL在存储芯片领域一直处于领先地位，通过不断的研发和创新，他们不仅满足了市场的需求，还为行业的进步做出了贡献。未来，我们可以期待看到更多新的技术和产品，进一步推动存储领域的发展。
TEL的通孔蚀刻技术的突破将在制造高容量的3D NAND闪存芯片方面发挥重要作用。这项技术的应用将带来更高的制造效率和更低的环境风险。我们期待在即将举行的京都研讨会上，进一步了解TEL的最新成果和技术进展。
