【PC日报】6月28日消息，三星代工(Samsung Foundry)在年度三星代工论坛(SFF 2023)上公布了最新的工艺技术路线图。根据该路线图，三星计划在未来几年推出一系列创新的工艺技术，并继续发展其射频技术和其他领域的应用。
据了解，三星代工计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺，并在2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级(SF3)工艺的基础上进行进一步优化的。相比于SF3工艺，SF2工艺在相同的频率和复杂度下提高了25%的功耗效率，提高了12%的性能，同时减少了5%的面积。此外，三星还将为SF2工艺提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
除了SF2工艺之外，三星还计划在2026年推出针对高性能计算(HPC)优化的SF2P工艺，以及在2027年推出针对汽车应用优化的SF2A工艺。同时，在2027年，三星还计划开始使用SF1.4制造工艺进行量产。三星的2纳米级工艺将与台积电的N2工艺大致同步，比英特尔的20A工艺晚一年左右。
此外，三星代工还计划继续发展其射频技术。预计三星的5纳米射频工艺技术将于2025年上半年准备就绪。与旧版的14纳米射频工艺相比，三星的5纳米射频工艺预计可以提高40%的功耗效率，并提高约50%的晶体管密度。另外，三星还计划于2025年开始生产氮化镓(GaN)功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。
在技术供应方面，三星代工计划继续扩大其在韩国平泽和美国得州泰勒市的制造能力。预计三星将于2023年下半年在其平泽3号生产线(P3)开始量产芯片。同时，泰勒市的新建厂房预计将于今年年底完工，并在2024年下半年开始运营。三星的目标是到2027年将其洁净室容量比2021年增加7.3倍。
