【智能日报】12月13日消息，昨日，三星电子董事长李在镕与SK集团董事长崔泰元共同前往荷兰，访问半导体设备制造巨头ASML的总部。这次访问的主要议题是有关半导体芯片制造的合作事宜，而ASML和韩国总统尹锡悦也参与了会谈。
据了解，当晚，ASML宣布与三星电子签署备忘录，双方计划合资投资1万亿韩元，约合54.5亿元人民币，用于在韩国建立研究中心，重点研究下一代极紫外(EUV)光刻机技术以推动超精细半导体制造工艺的发展。这一决定标志着三星电子在半导体领域的雄心，同时也巩固了ASML与三星之间的合作伙伴关系。
同时，ASML还宣布与SK海力士签署了一项环境、社会和公司治理(ESG)谅解备忘录，意图在上述领域展开更广泛的合作。
不久前曾有消息称，三星电子计划在未来五年内从ASML采购50台EUV光刻设备，每台的价格约为2,000亿韩元，总价值高达10万亿韩元，相当于545亿元人民币。
去年6月，三星电子首次推出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的3纳米代工工艺。因此，公司一直在积极采购EUV光刻设备，以实现明年上半年进入3纳米工艺的第二代工艺目标，随后在2025年进入2纳米工艺，最终在2027年实现1.4纳米工艺的突破。
考虑到EUV设备的交付周期至少需要一年的时间，李在镕董事长去年与ASML首席执行官Peter Bennink的多次会晤似乎已经取得了实际成果，为三星电子在半导体领域的未来发展奠定了坚实基础。
