一汽红旗近日宣布，在其研发总院新能源开发院功率电子开发部的主导下，成功研发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件。这款器件对于缓解用户的充电焦虑和里程焦虑具有重要意义，并为适应未来“千伏”以上的高压架构打下了坚实的基础。
该功率器件采用了国产1700V车规级超高压碳化硅芯片，并结合了高介电强度封装材料和高耐压封装结构等技术。测试结果显示，该器件的最高母线电压可达到1200V，有助于补能系统向超高压平台的升级，从而有效缩短充电时间。
这款碳化硅功率器件还结合了高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联以及高耐温银烧结工艺等技术。在超高压平台下，它能够发挥低损耗与高电流输出的综合性能优势，提升动力系统的功率密度和效率，节约整车电耗，并进一步提升续驶里程。
尽管一汽红旗尚未公布该器件的量产搭载时间，但业界对其后续的商用进展充满期待。
