【PC日报】5月5日消息，美国存储芯片技术公司NEO Semiconductor日前宣布推出全球首款3D X-DRAM内存技术，这一技术可以将内存带入3D时代，解决内存容量瓶颈，容量可以追上SSD硬盘。NEO Semiconductor表示，2025年推出的第一代3D X-DRAM就可以做到230层堆栈，核心容量达到128Gb，比当前的2D DRAM内存的核心容量提高了8倍。该公司的目标是每10年将3D X-DRAM容量提升8倍，到2035年的时候推出1Tb核心容量的3D X-DRAM，实现总计64倍容量提升。
据PC日报了解，3D X-DRAM技术的思路类似于3D NAND闪存，都是通过堆栈层数来提高内存容量，不同之处在于增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构，从而实现良率高、成本低、密度大幅提升的效果。NEO Semiconductor目前并没有晶圆厂，因此3D X-DRAM投入生产还需要与授权厂商合作。该公司计划寻找授权厂商，包括三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等。
NEO Semiconductor在此之前已经推出了3D X-NAND闪存，该闪存可以解决TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题。如今，他们又推出了3D X-DRAM，号称全球首款类3D NAND的内存技术，NEO Semiconductor希望成为内存行业的游戏规则改变者。未来的内存将不仅可以轻松达到TB容量，还可以追上SSD硬盘的容量水平。
