【智能日报】10月23日消息，三星宣布下一代HBM3E高带宽内存的惊人性能，单颗芯片可达36GB的容量，等效频率高达9.8GHz，再次巩固了其在内存技术领域的领先地位。然而，三星也在展望未来，提到了全新一代HBM4内存的发展方向。
据智能日报了解，HBM4内存在三星的规划中将迈向两个重要方向，即先进的晶体管工艺和高级的封装技术。在工艺方面，三星计划摒弃传统的平面晶体管，转而采用FinFET立体晶体管，以降低所需的驱动电流，从而改善能效。FinFET立体晶体管技术最早被引入于Intel的22nm工艺中，这些年一直是半导体制造工艺的基础。未来，它将在Intel的20A、台积电的2nm以及三星的3nm工艺中得到广泛应用，转向全环绕立体栅极晶体管，为HBM4内存的进一步提升打下坚实基础。
另一方面，三星还计划在封装技术方面进行创新，从微凸点键合转向无凸点键合(bumpless bonding)，实现铜层与铜层的直接互连。这一技术在逻辑芯片领域也被认为相当先进，尽管仍在研发中，但它将为HBM4内存提供更高的性能和可靠性。
尽管HBM4内存的升级将进一步扩大容量、提升频率和带宽，但与此同时，成本也将居高不下。因此，HBM4内存仍将保持其专属性，主要应用于高性能计算(HPC)和人工智能(AI)领域，普通用户可能难以感受到其直接影响。不过，这一技术的不断发展将为科学研究和高性能计算领域提供更多创新的可能性。
