【智能日报】12月15日消息，在最近于旧金山举行的第69届IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，中国DRAM芯片制造商长鑫存储(CXMT)展示了其在3nm以下芯片技术上的最新进展。会议中，长鑫存储通过一篇论文，向业界展示了其在环绕式闸极结构(Gate-All-Around，GAA)技术方面的研究成果，这一技术被认为是未来尖端3nm芯片制造的关键。
尽管长鑫存储尚未具备制造3nm芯片的能力，但其在5nm、7nm、10nm和14nm芯片技术方面的应用潜力已引起业界广泛关注。此次论文的发布，虽未伴随具体样品的展示，却在行业分析师中引起了对长鑫存储下一代内存技术的广泛讨论。这一成就特别引人瞩目，因为它标志着长鑫在面临美国技术封锁的背景下，仍在积极推动自主芯片技术的发展。
据智能日报了解，华邦电子的存储芯片专家Frederick Chen对长鑫存储的技术进步表示赞赏。他认为，长鑫存储在技术上的迅速追赶和缩小与国际先进水平的差距，证明了其在芯片制造领域的强大潜力。长鑫存储官方则对外表明，虽然这项研究为基础性探索，与其当前的生产工艺尚无直接关联，但它为将来的产品开发提供了重要基础。
与此同时，长鑫存储官网显示，该公司推出了国内首款自主研发的LPDDR5 DRAM存储芯片，实现了国内市场的重要突破。长鑫存储的LPDDR5系列产品包括多种规格的芯片，其中12GB LPDDR5芯片已在小米、传音等国内主流手机品牌中得到应用。这些成果不仅标志着长鑫存储在DRAM芯片领域的多元化发展，也展示了其在中高端移动设备市场的竞争力。
