近日，红旗宣布成功开发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件，这一创新成果有望显著缓解用户在驾驶过程中的充电焦虑和里程焦虑问题。该功率器件的研发成功，为未来适应“千伏”以上高压架构的落地，以及实现5分钟快速补能的目标奠定了坚实的基础。
该功率器件搭载了国产先进的1700V车规级超高压碳化硅芯片，并创新性地采用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构等技术。测试结果显示，该器件的最高母线电压可达1200V，这一性能使得相关产品和技术能够助力补能系统向超高压平台升级，从而极大缩短充电时间。
通过结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联以及高耐温银烧结工艺等先进技术，这款碳化硅功率器件在超高压平台下展现出了低损耗与高电流输出的综合性能优势。它不仅有效提升了动力系统的功率密度和效率，还能在高压、高温环境下保持稳定高效的运行，为用户带来强劲澎湃的驾驶体验，同时最大程度节约整车电耗，提升续驶里程。
