Intel在即将举行的2024年IEEE国际电子器件会议（IEDM 2024）上，披露了一系列技术革新，预示着半导体行业即将迎来新的突破。
在材料科学领域，Intel推出了减成法钌互连技术，这项技术有望将芯片内部的线间电容降低多达25%，对改善芯片内部连接结构具有重大意义。这一进步为提升芯片性能和效率开辟了新路径。
Intel代工部门还展示了一项针对先进封装的异构集成方案，据称能将芯片间的封装速度提升百倍，实现前所未有的芯片间组装速度。这一技术的突破，无疑将极大地加速高性能计算系统的开发进程。
Intel代工部门还揭秘了硅基RibbionFET CMOS技术和2D场效应晶体管的栅氧化层模块，这些技术旨在通过微缩化提升设备性能，为半导体工艺的持续演进提供了有力支撑。
在300毫米氮化镓（GaN）技术领域，Intel也取得了显著进展。他们制造出了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT，这一成果有望通过减少信号损失和提高信号线性度，为功率器件和射频器件等领域带来性能上的飞跃。同时，基于衬底背部处理的先进集成方案，也为这些应用提供了更强的性能保障。
Intel代工部门还提出了三个关键的创新方向，旨在推动人工智能在未来十年向更高能效发展。首先，他们强调先进内存集成的重要性，以解决容量、带宽和延迟方面的瓶颈问题。其次，混合键合技术的应用将优化互连带宽，进一步提升系统性能。最后，模块化系统及其相应的连接解决方案，将为构建更高效、更灵活的AI系统提供有力支持。
