全球存储芯片龙头SK海力士与英伟达即将达成新一代高带宽存储器（HBM4）的供应协议，这款专为AI计算设计的核心组件预计将以每颗560美元的价格推向市场，较前代HBM3E涨幅超过50%。技术突破成为此次价格调整的核心支撑，HBM4的数据传输通道数量从HBM3E的1024个翻倍至2048个，同时通过在基底芯片中集成计算优化与能效管理功能，显著提升了AI设备的运算效率。
在生产策略上，SK海力士进行了重大调整。自HBM4项目启动后，企业将基底芯片制造环节外包给台积电，自身则集中资源攻克核心技术并优化产能配置。这一变革在3月已现成效——全球首款12层堆叠HBM4样品通过英伟达测试并获得认可，6月起正式进入小批量供货阶段。据企业高管透露，价格上调既反映了制程工艺的进步，也涵盖了原材料成本上升的客观因素。
行业分析师指出，HBM4的高盈利能力将推动SK海力士明年HBM业务销售额跃升至40-42万亿韩元（约合2084亿元人民币），营业利润率预计达60%，仅该板块即可贡献25万亿韩元利润。这种增长势头在通用存储芯片领域同样显现，9月DDR4价格六年来首次突破7美元，GDDR与低功耗DDR产品的市场价格也呈现快速攀升态势。
需求端的爆发式增长成为价格走高的关键推手。随着推理型AI应用场景的持续拓展，存储芯片供应已出现明显缺口，SK海力士明年的相关产能早在规划阶段即被预订一空。预计到明年下半年，HBM4将全面取代HBM3E成为市场主流，推动企业HBM业务营收较今年增长40%-50%，整体营业利润有望突破70万亿韩元大关。
