【PC日报】5月26日消息，据韩媒The Elec报道，三星近日成立了一个专业团队，致力于开发4F² DRAM存储单元结构。这一新技术相较于目前的6F²级别，在不改变工艺节点的前提下，最多可减少30%芯片面积。
过去10年中，DRAM行业一直尝试商业化4F Square作为一种单元结构技术，然而最终却以失败告终。但如今，三星重组了专业团队，专门研发4F²结构。根据韩媒报道获悉，该技术通过晶体管的电流流入和流出方向，形成源极(S)、栅极(G)和漏极(D)的整套系统。
据PC日报了解，在这种新的结构中，漏极(D)上方安装了一个负责存储电荷的电容器。晶体管与水平排列的WL线和垂直排列的BL线相连接，其中WL线连接到栅极(G)，负责晶体管的开/关控制;而BL线连接到源极(S)，负责数据的读取和写入。
三星此次的研发目标是实现4F² DRAM存储单元结构的商业化，从而在不改变工艺节点的情况下提供更高的集成度和更小的芯片面积。这项技术的研发将为DRAM行业带来重要突破，有望推动整个行业的发展和进步。
